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 バンプ&再配線加工

 

SiP、CoC向け先端パッケージのフリップチップ接合用途に、ワイヤーボンディング端子部の再配線加工&電極部

へのバンプ加工によりICの再設計をすることなく、フリップチップ工法対応可能です。

 

 電解めっき法(Au,半田、Cu)                    
 ボール搭載方式
 半田印刷法
 無電解めっき(Au,UBM)
 スタッドバンプ方式 

 再配線加工

 

金めっき工法                 金スタッドバンプ              はんだめっき工法             はんだボール搭載

      

Bump height 15um    50-70um                 80-100um                50-70um

 

 

  半田デザインルール

 

        

 半田バンプ

仕様項目

標準仕様(量産仕様)
①バンプ高さ & 高さバラツキ

Max.高さ : 50μm 

(顧客仕様により対応)

チップ内   : < 3μm

ウェハ内   : < 6m

チップ間   : ± 5μm

②バンプピッチ

80μm (Bump Top) 

③バンプ径

50μm (Bump Top) 

④バンプ間

30μm (Bump Top) 

⑤バンプ&パッシベーションオーバーラップ≧7μm

⑥メタルエッジ部~バンプギャップ

≧3.5μm

バンプ付搭載マージン

≦3.0μm 

(パッドセンター部基準) 

  

  狭ピッチCuバンプデザインツール

 

   

   

 Cuピラーバンプ

 バンプピッチ 100μm60μm  50μm20μm
①バンプサイズ

 50

30 

25 

10

②銅ポスト高さ

40 

40 

35 

10

③半田キャップ高さ

20 

12 

12 

5

④バンプ高さ

68 

57 

51 

16.5

 

  

 【お問い合わせ先】

  

 実装ソリューション営業部
 電話 :03-5715-3501
    :
info@welljp.co.jp 

 

  金バンプデザインルール

         

     

 金バンプ

仕様項目

標準仕様(量産仕様)
①バンプ高さ & 高さバラツキ

高さ : 10~40μm 

(Target ±3μm)  

②バンプピッチ

25μm (Bump Top) 

③バンプ径

17μm (Bump Top) 

④バンプ間

8μm (Bump Top) 

⑤バンプ&パッシベーション・オーバーラップ≧4.0μm

⑥メタルエッジ部~バンプギャップ

≧3.0μm

バンプ付搭載マージン

≦3.0μm 

(パッドセンター部基準)